三星宣布首批3nm芯片出货:弯道超车领先台积电

发布时间:2022-08-09 15:09:02

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  三星宣布首批3nm芯片出货:弯道超车领先台积电
  来源:昌吉新闻网
 

原标题:三星宣布首批3nm芯片出货:弯道超车 领先台积电

7月25日,三星宣布首批3nm芯片正式出货,这意味着三星在3nm芯片的竞争中弯道超车,领先于台积电3nm芯片。

三星的3nm工艺实际上分为两代,目前量产的是第一代3nm芯片,采用的是Gate-All-Around (GAA)工艺,据三星称,与类似的5nm FinFET芯片相比,3nm GAA芯片的功耗将降低45%,速度提高23%,体积缩小16%。号称要取代当下主流的FinFET(鳍式场效应晶体管)。虽然台积电的3nm也将在下半年量产,不过依然是FinFET。

第二代的3nm GAP工艺可以降低50%的功耗,提升30%的性能,同时面积减少35%,效果更好,不过要到2024年才能量产。2nm GAP工艺的量产时间也定了,预计在2025年量产,时间点跟台积电量产2nm工艺差不多,而且很可能在技术上领先后者,因为台积电的2nm工艺在晶体管密度上挤牙膏,提升只有10%。

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责任编辑:校水淇

  

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